1957年，美国研制出世界上第一只普通的（400Hz以厂）反向阻断型可控硅，后称晶闸管（SCR）。经过60年代的工艺完善和应用开发，到了70年代，晶闸管己形成从低压小电流到高压大电流的系列产品。在这期间，世界各国还研制出一系列的派生器件，如不对称晶闸管（ASCR）、逆导晶闸管(RCT）、门极辅助关断晶闸管（GATT）、光控晶闸管（LTSCR）以及80年代迅速发展起来的可关断晶闸管（GTO）。由晶闸管及其派生器件所构成的各种电力电子装置在工业应用中主要解决了传统的电能变换装置中所存在的能耗大和装置笨重的问题，因此电能的利用率大大地提高了，同时也使工业噪声得到一定程度的控制。目前谢因特网上可以查到的高压大电流晶闸管有POWEREX推出的用于高压交流开关和静止无功发生器用的12000V/1500A的晶闸管。
1948年美国贝尔实验室发明了第一只晶体管以来，经过20多年的努力，到了70年代，用于电力变化的晶体管（GTR）已进入工业应用领域，由于GTR具有自关断能力且开关速度可达20KHz，在PW材技术中一度得到了广泛的应用，并促使装置性能进一步提高和传统直流电源装置的革新，出现了所谓的“20干周革命”，但因功率晶体管存在二次击穿、不易并联以及开关频率仍然偏低等问题，它的应用受到了限制。
70年代后期，电力半导体器件在高频化进程中一个标志性器件，功率场效应晶体管（powerMOSFET）开始进入实用阶段。进入80年代，人们义在降低器件的导通电阻、消除寄生效应、扩大电压和电流容量以及驱动电路集成化等方面进行了大量的研究，取得了很大的进展。功率场效应管中应用最广的是电流垂直流动结构的器件（VDMOS）。它具有工作频率高（几十千赫至数百干赫，低压管可达兆赫）、开关损耗小、安全工作区宽（不存在二次击穿问题）、漏极电流为负温度特性（易并联）、输入阻扒高等优点，是一种场控型自关断器件，为目前电力电子技术赖以发展的主要器件之一。100A/1000V的VDMOS已商品化，研制水平达250A／1000v，其电流的容量还有继续增大的趋势。尽管VDMOS仍器件的开关速度非常快，但其导通电阻与U的2.5次方成正比，这就限制了它在高压大功率领域的应用。
80年代电力电子器件较为引人注目的成就之一就是开发出双极型复合器件。研制复合器件的主要目的是实现器件的高压、大电流参数同动态参数之间的最合理的折中，使其兼有M昭器件和双极型器件的突出优点，从而产生出较为理想的高频、高压和大电流器件。目前最有发展前途的复合器件是绝缘栅双极型晶体管IGBT。IGBT于1982年在美国率先研制出样品1985年开始投产。目前最高电压已达4500v，最大电流可为180OA。

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